一、影響氣相鍍氧化矽阻隔封裝薄膜性能的因素
蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍層的組成和蒸鍍層的厚度對蒸鍍氧化矽阻隔封裝薄膜的性能有很大的影響，可通過主要列舉如下。www.susumino.com南京住野精工阻隔膜生產線
1.底物的選擇性
如前所述，氣相沉積氧化矽阻隔包裝膜的阻隔性能取決於SiOx塗層，因此在氣相蒸煮過程中不會損壞塗層。蒸鍍氧化矽阻隔包裝膜通常與其他薄膜層壓製成蒸鍍膜，蒸鍍基材的選擇應考慮以下問題。
(1)塑料薄膜的種類
蒸鍍氧化矽薄膜與塑料薄膜的附著牢度與塑料基膜的種類有較大關係。PET、PVC等極性薄膜與氧化矽的附著力較好，非極性薄膜與氧化矽的附著力較差。
(2)塑料薄膜的表面狀態
氣相鍍氧化矽阻隔封裝薄膜的阻隔性能受氣相鍍層厚度的影響，但更大程度上受氧化矽塗層均勻性的影響。除了蒸鍍層本身的化學成分和結構外，所用基膜表面的光滑度也是缺陷形成的重要因素，粗糙度越大越容易產生蒸鍍缺陷，但適量的粗糙度將使氣相鍍層與基膜表面之間形成物理錨固，提高層間附著力。
(3)塑料薄膜表面預處理條件
為了獲得質量好的蒸鍍膜，需要對基膜進行適度的表面電暈處理。經表面電暈處理後，塑料薄膜表面可形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧化、硝酰化等多種複雜的化學反應，引入氧、氮等原子和原子團，塑料薄膜表面），增加基膜與氣相沉積塗層之間的結合力。在某些預處理設備的情況下，如果預處理時間不夠，表面改性不充分，會導致基膜與塗層的結合牢度下降；過長的預處理時間可能會導致基膜界面在更深層次上弱化，產生基膜本身的弱界面層，這也會導致基材表面與基材之間的結合力下降。氣相電鍍層。
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2. 氣相沉積工藝條件對氣相鍍氧化矽阻隔封裝薄膜性能的影響
無論採用物理還是化學氣相沉積，氣相沉積工藝條件都可能對氣相沉積氧化矽阻隔包裝薄膜的性能產生重大影響，因此應採用有利於提高氣相沉積薄膜阻隔性能的工藝條件。盡可能使用。
(1) 當使用物理氣相沉積時，
真空度、基膜溫度、電子槍功率、待汽化原料的形狀、真空室的氧氣引入速度、汽化塗層的厚度（由汽化決定時間和蒸發功率）都會影響最終產品的性能。
蒸鍍時的真空度越高，SiO2的蒸鍍效果越好，所生產的蒸鍍膜質量越高。
②蒸發時塑料基膜的溫度越高，蒸發的SiO越有利於沉積在塑料基膜上，形成緻密的塗層，提高蒸發層與塑料基膜的附著力，從而提高適當的塑料基膜溫度有利於提高蒸鍍膜的質量。
③使用電子槍轟擊蒸發SiO2，宜使用塊狀SiO2，因為粉末狀SiO2在電子槍轟擊時，容易產生粉末濺射現象，影響蒸發鍍膜質量，而粉末狀SiO2有利於電阻加熱蒸發。
氧氣的量越大，即x值越大，蒸氣層越向透明度增加的方向移動，但阻擋層有降低的趨勢。當x等於2時，得到無色透明的蒸發層，阻隔性差。x通常控制在1.5～1.8之間，以獲得既具有高阻隔性又具有良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.susumino.com
當蒸汽層厚度增加時，蒸汽塗層的勢壘增加，但當蒸汽層厚度超過50nm時，蒸汽層厚度進一步增加，蒸汽塗層的勢壘基本保持不變，因此它不能指望通過降低生產線線速（增加蒸鍍時間）和增加蒸鍍層厚度來無限期地提高蒸鍍膜的阻隔性。
(2)化學氣相沉積，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應與大氣中的電離能和被汽化物質電離所需的能量相匹配，一般選用高頻電磁波 13.56 MHz，微波一般選擇2.45MHz，真空度在10-2Pa左右可以獲得優良的氣相沉積效果，而物理氣相沉積需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或更高。
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