蒸發氧化矽基阻隔包裝膜的製備方法主要有兩種：物理氣相沉積（PVC）和化學氣相沉積（CVC）。根據具體的實作方法，有以下多種方法。阻隔膜生產設備
1.物理氣相沉積
物理氣相沉積又稱為物理氣相沉積法，包括電阻蒸發、電子束蒸發和濺鍍。其中電阻蒸發與電子束蒸發需要在高溫下汽化SiO2，而濺鍍則採用單元素靶材濺射，具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限制、鍍膜品質好等優點。
優點。
(1)電阻絲蒸鍍法
電阻絲蒸發鍍法是在真空室內，用電阻絲加熱SiO2，溫度高達1700℃，高溫和真空使SiO2以原子或分子的形式從表面汽化逸出，形成產生蒸氣流，蒸氣流在基材表面沉積，形成含有SiOx塗層的阻隔封裝薄膜。
(2)電子束蒸發鍍膜法
電子束蒸發鍍膜法是將SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使之蒸發汽化，然後凝結在基材表面，形成含有SiOx鍍層的阻隔封裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，可遠大於電阻加熱源的能量密度，蒸發溫度高（電子束加熱能量可達20kW/c㎡，溫度可高達3,000~6,000℃），因此特別適合生產高熔點薄膜材料和高純度薄膜材料，並且可以有較高的蒸發速率。由於熱量可以直接添加到被汽化材料的表面，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射損失少，生產的SiOx阻隔包裝膜阻隔性，與電阻絲蒸發法生產的產品相比，有是一個顯著的改進。
(3)濺射法
濺鍍法又稱磁控濺鍍法或高速低溫濺鍍法。以單元素靶材並通入反應氣體進行濺射稱為反應濺射，可透過調整沉積製程參數，可製備化學比例或非化學比例的化合物薄膜，以達到調節薄膜的目的。調整薄膜的特性。與蒸鍍法相比，磁控濺鍍具有鍍層與基體結合牢固，鍍層緻密、均勻的優點。磁控濺鍍的其他優點還有設備簡單、操作方便等。最大的缺點是沉積速率比較低，除了可能出現靶材中毒、火焰和濺射過程不穩定造成以及膜層缺陷等，這些都限制了它的應用，因此仍有待改進。
2. 化學氣相沉積（PECVD）
化學氣相沉積又稱為等離子體增強化學氣相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子和活性基團，在氣態或基體表面進行化學反應。等離子增強化學氣相沉積技術，利用射頻（RF）電源產生輝光放電（射頻功率放電可設定為連續放電模式或脈衝放電模式）或微波（MW）放電來離解反應氣體，形成等離子體，等離子體與基材表面的薄膜相互作用並在表面沉積薄膜。顧繼海等人在封裝工程中介紹了PECVD氣相沉積技術的原理、特點和應用以及陶瓷薄膜氣相沉積技術的發展趨勢。
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